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RB160M-40	文件：146.1 Kbytes Page：4 Pages	Schottkybarrierdiode	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RB160M-40	文件：976.36 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RB160M-40	文件：125.9 Kbytes Page：4 Pages	Schottkybarrierdiode	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RB160M-40	文件：47.13 Kbytes Page：3 Pages	Schottkybarrierdiode Features 1)Smallpowermoldtype.（PMDU） 2)LowIR 3)Highreliability Applications Generalrectification	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RB160M-40	文件：342.79 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode Features 1)Smallpowermoldtype.（PMDU） 2)LowIR 3)Highreliability Applications Generalrectification	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RB160M-40	文件：726.46 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiodes SchottkyBarrierDiodes FEATURES ●Smallsurfacemountingtype ●Lowforwardvoltage ●Highreliability	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
RB160M-40	文件：297.222 Kbytes Page：2 Pages	1A40VSchottkydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
RB160M-40	文件：311.45 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERREVERSEVOLTAGE30TO90VFORWARDCURRENT1.0A DESCRIPTION TheRB160M-30/40/60/90isavailableinSOD-123FLPackage FEATURES Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Forsurfacemountedapplications Lowpowerloss,highefficiency Highforwardsurgecurrentcapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverte	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創瑞科技AiT創瑞科技	AITSEMI
RB160M-40	文件：587.98 Kbytes Page：3 Pages	Lowstoredchange,majoritycarrierconduction.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
RB160M-40TR	文件：342.79 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode Features 1)Smallpowermoldtype.（PMDU） 2)LowIR 3)Highreliability Applications Generalrectification	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SB160M-40	文件：208.39 Kbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanerSchottkyBarrierDiode Features •Highreliablility •Lowforwardvoltage Application •Forswitchingpowersupplies •Batteryprotectionagainstreversalcurrent	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

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