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2SB1274	文件：1.3319 Mbytes Page：4 Pages	丝印：B1274；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Wide ASO (Adoption of MBIT Process). Low Saturation Voltage. High Reliability. High Breakdown Voltage. 文件：1.3319 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
B1274	文件：977.43 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-220F Plastic Package Descriptions Silicon PNP transistor in a TO-220F Plastic Package. Features High VCEO, low saturation voltage, wide ASO. Applications Low frequency power amplifier applications. 文件：977.43 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
B1274	文件：253.86 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Complement to type 2SD1913 ·High reliability. ·High breakdown voltage ·Low saturation voltage. ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·60V/3A low-frequency power amplifier ·General power amplifier applications 文件：253.86 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
B1274	文件：104.2 Kbytes Page：1 Pages	General Purpose Switching and Amplification. FEATURES • General Purpose Switching and Amplification. • Wide ASO (Adoption of MBIT Process) • Low Saturation Voltage. 文件：104.2 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
B1274	文件：34.38 Kbytes Page：4 Pages	60V/3A Low-Frequency Power Amplifier Applications 60V/3A Low-Frequency Power Amplifier Applications Applications •General power amplifier. Features • Wide ASO (Adoption of MBIT process). • Low saturation voltage. • High reliability. • High breakdown voltage. • Micaless package facilitating mounting. 文件：34.38 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
B1274	文件：167.22 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Complement to type 2SD1913 ·High reliability. ·High breakdown voltage ·Low saturation voltage. ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·60V/3A low-frequency power amplifier ·General power amplifier applications 文件：167.22 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
B1274	文件：1.69248 Mbytes Page：3 Pages	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Wide ASO (Adoption of MBIT Process). ● Low Saturation Voltage. ● High Reliability. ● High Breakdown Voltage. 文件：1.69248 Mbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
B1274	文件：130.65 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • High Reliability • Low Collector Saturation Voltage :VCE(sat)=-1.0V(Max)@Ic=-2A • Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：130.65 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
B1274	文件：255.55 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：255.55 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
B1274	文件：104.2 Kbytes Page：1 Pages	PNP Plastic Encapsulated Transistor 文件：104.2 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS

晶体管资料

型号：
2SB1274
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
绝缘（Iso）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1307,2SA1440,2SA1469,2SB941,2SB1015,2SB1185,2SB1187,2SB1304,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
B-45
vtest：
60
htest：
100000000
atest：
3
wtest：
20

详细参数

型号：
B1274
功能描述：
2SB1274 N9H1D

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多B1274供应商更新时间2026-1-18 14:14:00

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