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P11NK50Z	文件：415.53 Kbytes Page：16 Pages	N-channel500V,0.48廓,10ATO-220,TO-220FP,D2PAKZener-protectedSuperMESHTMPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
P11NK50ZFP	文件：1.02255 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STB11NK50Z	文件：1.04013 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STB11NK50Z	文件：585.7 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNEL500V-0.48ohm-10ATO-220/TO-220FP/D2PAKZener-ProtectedSuperMESH?줡owerMOSFET Description TheSuperMESH™seriesisobtainedthroughanextremeoptimizationofST’swellestablishedstrip-basedPowerMESH™layout.Inadditiontopushingon-resistancesignificantlydown,specialcareistakentoensureaverygooddv/dtcapabilityforthemostdemandingapplications. Feature	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STP11NK50Z	文件：295.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.52Ω(Max)@VGS=10V APPLICATION ·Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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