| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金泰福电子科技有限公司1年
留言
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CJ/长晶SOT-23 |
30000 |
24+ |
长晶全系列二三极管原装优势供应,欢迎询价 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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CJ/长电SOT-23 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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DIODES/美台SOT-23 |
159012 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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ONSOT-23 |
78000 |
16+/17+ |
渠道现货库存-原装正品 |
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深圳市金启宁科技有限公司10年
留言
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ON/安森美SOT23 |
50000 |
21+ |
只做原装 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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ON/安森美447256 |
1850 |
SOT-23 |
只做原装正品,现货 |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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CJSOT23 |
8500 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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DIODES/美台SOT-23 |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT23 |
600000 |
22+ |
航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴! |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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ONSOT23 |
102000 |
21+ |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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ONSOT23 |
150000 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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ON/安森美NA |
12000 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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DIODES/美台SOT-23-3 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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ONSOT-23 |
89000 |
18+ |
全新原装现货,假一罚十 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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ON(安森美)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市华康联电子科技有限公司12年
留言
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ONSOT23 |
20000 |
23+ |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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ONSOT23 |
45000 |
22+ |
公司100%原装现货,现货众多欢迎加Q咨询 |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
留言
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10 |
2015+ |
公司现货库存 |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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INFINEONSOT23-3 |
2000 |
23/22+ |
全线可订货.含税开票 |
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BCW66图片
BCW66GLT1G价格
BCW66GLT1G价格：￥0.1205品牌：ON
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BCW66KHE6327中文资料Alldatasheet PDF
更多BCW66制造商:DIOTEC 制造商全称:Diotec Semiconductor 功能描述:Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BCW66E-6359制造商:Siemens 功能描述:800 MA, 45 V, NPN, SI, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BCW66F制造商:Rectron Semiconductor 功能描述:Bipolar NPN Trans .8A, 75V
BCW66F_07制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon AF Transistors
BCW66FL功能描述:BJT
BCW66FLR功能描述:BJT
BCW66FR制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
BCW66FTA功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BCW66FTC功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BCW66G功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
