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AX3113AS	文件：520.789 Kbytes Page：10 Pages	PWM Control 2A Step Down Converter GENERALDESCRIPTION AX3113AconsistsofstepdownswitchingregulatorwithPWMcontrol.Thesedeviseincludeareferencevoltagesource,oscillationcircuit,erroramplifier,internalPMOSandetc. AX3113Aprovideslow-ripplepower,highefficiency,andexcellenttransientcharacteristics.The	AXELITEAXElite technology co. ltd 亚瑟莱特亚瑟莱特科技股份有限公司	AXELITE
AX3113ASA	文件：520.789 Kbytes Page：10 Pages	PWM Control 2A Step Down Converter GENERALDESCRIPTION AX3113AconsistsofstepdownswitchingregulatorwithPWMcontrol.Thesedeviseincludeareferencevoltagesource,oscillationcircuit,erroramplifier,internalPMOSandetc. AX3113Aprovideslow-ripplepower,highefficiency,andexcellenttransientcharacteristics.The	AXELITEAXElite technology co. ltd 亚瑟莱特亚瑟莱特科技股份有限公司	AXELITE
BA3113	文件：121.4 Kbytes Page：3 Pages	MonolithicIGs MonolithicIGs ICsforAudioApplications •CDAmplifiers •Low-Frequency,Small-SignalAmplifiers	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
C3113	文件：73.84 Kbytes Page：1 Pages	TYPECMP/CL3P 4C187/26BCFLEXFLEXTYPECMP/CL3P	GENERALGeneral Cable Technologies Corporation 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
DEMO-VMMK-3113	文件：686.85 Kbytes Page：8 Pages	2-6GHzDirectionalDetectorinSMTPackage	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
E3113BGR	文件：798.73 Kbytes Page：15 Pages	SideViewChipLED	Harvatekharvatek 宏齐宏齐科技股份有限公司	Harvatek
EG3113	文件：562.45 Kbytes Page：12 Pages	HIgh-PowerMOStubedriverchip	EGMICROJingjing Microelectronics Co., Ltd 屹晶微电子屹晶微电子有限公司	EGMICRO
FJV3113R	文件：46.9 Kbytes Page：3 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Description Transistorswithbuilt-inresistorscanbeexcellentspace-andcost-savingsolutionsbyreducingcomponentcountandsimplifyingcircuitdesign. Features •100mAOutputCurrentCapability •Built-inBiasResistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) Application •Switching,Interface,and	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJV3113R	文件：248.25 Kbytes Page：7 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Description Transistorswithbuilt-inresistorscanbeexcellentspace-andcost-savingsolutionsbyreducingcomponentcountandsimplifyingcircuitdesign. Features •100mAOutputCurrentCapability •Built-inBiasResistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) Application •Switching,Interface,and	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FJV3113RMTF	文件：248.25 Kbytes Page：7 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Description Transistorswithbuilt-inresistorscanbeexcellentspace-andcost-savingsolutionsbyreducingcomponentcountandsimplifyingcircuitdesign. Features •100mAOutputCurrentCapability •Built-inBiasResistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) Application •Switching,Interface,and	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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