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DEMO-VMMK-3113	文件：686.85 Kbytes Page：8 Pages	2 - 6 GHz Directional Detector in SMT Package	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
E3113BGR	文件：798.73 Kbytes Page：15 Pages	SideViewChipLED	Harvatekharvatek 宏齐宏齐科技股份有限公司	Harvatek
EG3113	文件：562.45 Kbytes Page：12 Pages	HIgh-PowerMOStubedriverchip	EGMICROJingjing Microelectronics Co., Ltd 屹晶微电子屹晶微电子有限公司	EGMICRO
FJV3113R	文件：46.9 Kbytes Page：3 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Description Transistorswithbuilt-inresistorscanbeexcellentspace-andcost-savingsolutionsbyreducingcomponentcountandsimplifyingcircuitdesign. Features •100mAOutputCurrentCapability •Built-inBiasResistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) Application •Switching,Interface,and	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJV3113R	文件：248.25 Kbytes Page：7 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Description Transistorswithbuilt-inresistorscanbeexcellentspace-andcost-savingsolutionsbyreducingcomponentcountandsimplifyingcircuitdesign. Features •100mAOutputCurrentCapability •Built-inBiasResistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) Application •Switching,Interface,and	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FJV3113RMTF	文件：248.25 Kbytes Page：7 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Description Transistorswithbuilt-inresistorscanbeexcellentspace-andcost-savingsolutionsbyreducingcomponentcountandsimplifyingcircuitdesign. Features •100mAOutputCurrentCapability •Built-inBiasResistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) Application •Switching,Interface,and	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FKBA3113	文件：486.07 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch30VFastSwitchingMOSFETs Description TheFKBA3113isthehighcelldensitytrenched P-chMOSFETs,whichprovideexcellent RDSONandgatechargeformostofthe synchronousbuckconverterapplications. TheFKBA3113meettheRoHSandGreen Productrequirement,100EASguaranteed withfullfunctionreliabilityapprove	FETEKFETek Technology Corp. 台湾东沅东沅科技股份有限公司	FETEK
FKCD3113	文件：632.09 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch30VFastSwitchingMOSFETs Description TheFKCD3113combinesadvancedtrench MOSFETtechnologywithalowresistance packagetoprovideextremelylowRDSON.This deviceisidealforloadswitchandbattery protectionapplications. TheFKCD3113meettheRoHSandGreen Productrequirementwithfullfunctionreliability	FETEKFETek Technology Corp. 台湾东沅东沅科技股份有限公司	FETEK
FKD3113	文件：483.11 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch30VFastSwitchingMOSFETs Description TheFKD3113isthehighcelldensitytrenched P-chMOSFETs,whichprovideexcellentRDSON andgatechargeformostofthesynchronousbuck converterapplications. TheFKD3113meettheRoHSandGreenProduct requirement,100EASguaranteedwithfull functionreliabilityapproved.	FETEKFETek Technology Corp. 台湾东沅东沅科技股份有限公司	FETEK
FKK3113	文件：613.07 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch30VFastSwitchingMOSFETs Description TheFKK3113isthehighcelldensitytrenched P-chMOSFETs,whichprovideexcellentRDSON andgatechargeformostofthesynchronousbuck converterapplications. TheFKK3113meettheRoHSandGreenProduct requirement,100EASguaranteedwithfull functionreliabilityapproved.	FETEKFETek Technology Corp. 台湾东沅东沅科技股份有限公司	FETEK

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