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AV3425G3

FS型 微动开关(触点间隙1mm以上型)

Panasonic

松下

CED3425

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -30V, -20A, RDS(ON) = 45mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RDS(ON) = 80mW @VGS = -4.5V. RoHS compliant.

文件:940.27 Kbytes 页数:5 Pages

CET-MOS

华瑞

CEM3425

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -30V, -5.9A, RDS(ON) = 45mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 80mW @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant.

文件:666.86 Kbytes 页数:5 Pages

CET-MOS

华瑞

CEU3425

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -30V, -20A, RDS(ON) = 45mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RDS(ON) = 80mW @VGS = -4.5V. RoHS compliant.

文件:940.27 Kbytes 页数:5 Pages

CET-MOS

华瑞

技术参数

  • 激励器:

    链接杆

  • 工作强度 (OF) 最大:

    0.54N

  • 触点材料:

    AgNi合金

  • 海外安全标准:

    UL/C-UL

  • 额定:

    3A 30V DC

  • 电气寿命:

    1万次以上 (通断频率20次/分钟)

  • 保护构造:

    IP40

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更多AV3425供应商 更新时间2026-4-21 9:01:00