AUIRS2124中文资料High voltage and high speed power MOSFET and IGBT drivers for Automotive applications. Output out of phase with input数据手册Infineon规格书

厂商型号 |
AUIRS2124 |
参数属性 | AUIRS2124 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC |
功能描述 | High voltage and high speed power MOSFET and IGBT drivers for Automotive applications. Output out of phase with input |
封装外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-22 11:22:00 |
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AUIRS2124规格书详情
应用 Application
·Injection
·Piezo Injection
·PTC Heater
·Solenoid Injection
简介
AUIRS2124属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的AUIRS2124栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。
技术参数
更多- 产品编号:
AUIRS2124STR
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 系列:
Automotive, AEC-Q100
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 驱动配置:
高端
- 通道类型:
单路
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
10V ~ 20V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
500mA,500mA
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
80ns,80ns
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
24+ |
SOIC-8 |
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Infineon/英飞凌 |
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Infineon/英飞凌 |
23+ |
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INFINEON |
23+ |
SOP8 |
20000 |
询价 | |||
INFINEON |
25+ |
SOP-8 |
5000 |
原厂原装,价格优势 |
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IR |
23+ |
SOP-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |