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AUIRS2012S数据手册集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF

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厂商型号

AUIRS2012S

参数属性

AUIRS2012S 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

功能描述

200V 高边和低边栅极驱动器,采用8 引脚 SOIC 封装
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 22:50:00

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AUIRS2012S规格书详情

特性 Features


优势:
• 高边和低边栅极驱动器
• 完全运行时的电压高达 200V
• 专为自举操作设计的浮动通道
• 2A 拉电流和灌电流
• 拓展的电源电压范围:10V 到 20V
• 兼容 CMOS 的输入
• CMOS 施密特触发输入
• 输出与输入同相
• 欠压锁定功能
• 匹配的传播延迟时间
• 通过汽车认证
• 无铅,符合 RoHS

简介

AUIRS2012S属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的AUIRS2012S栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    AUIRS2012STR

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q100

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.7V,2.5V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    2A,2A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    22ns,15ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    PG-DSO-8

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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