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AUIRS20162S数据手册集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF

厂商型号 |
AUIRS20162S |
参数属性 | AUIRS20162S 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC |
功能描述 | 150V 高边栅极驱动器,采用8 引脚 SOIC 封装 |
封装外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
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AUIRS20162S规格书详情
特性 Features
优势:
• 无铅,符合 RoHS
• 通过汽车认证
• 一个高边输出和内部低边 Vs 再充电。
• 具有上拉电阻的 CMOS 施密特触发逆变器输入
• 具有下拉电阻的 CMOS 施密特触发器反向复位
• 5V 兼容逻辑电平输入
• 抗 -Vs 尖峰,容许 dVs/dt
简介
AUIRS20162S属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的AUIRS20162S栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。
技术参数
更多- 产品编号:
AUIRS20162STR
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 系列:
Automotive, AEC-Q100
- 包装:
卷带(TR)
- 驱动配置:
高端
- 通道类型:
单路
- 栅极类型:
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
4.4V ~ 20V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
250mA,250mA
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
200ns,200ns
- 工作温度:
-55°C ~ 155°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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