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AUIRFZ46NL	文件：300 bytes Page：1 Pages	Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 Package \n优势:\n• Advanced planar technology\n• Dynamic dV/dT rating\n• 175°C operating temperature\n• Fast switching\n• Fully Avalanche Rated\n• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax\n• Lead free, RoHS compliant\n• Automotive qualified;	Infineon 英飞凌	Infineon
AUIRFZ46NL	文件：254.72 Kbytes Page：13 Pages	Advanced Planar Technology Low On-Resistance 文件：254.72 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
AUIRGDC0250	文件：0 bytes Page：0 Pages	SUPER-220TO-273AA	INFINEON/英飞凌上传：深圳市钜韬电子有限公司	INFINEON/英飞凌
AUIRGPS4067D1	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-247	IR 国际整流器上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	IR
AUIRL7732S2TR	文件：0 bytes Page：0 Pages		IR/INFINEON 上传：深圳市一线半导体有限公司	IR/INFINEON

技术参数

VDS max：
55.0V
ID max：
37.0A
ID (@ TC=100°C) max：
37.0A
ID (@ TC=25°C) max：
53.0A
RDS (on)(@10V) max：
16.5mΩ
QG(typical) ：
48.0nC
Mounting ：
THT
Qgd ：
17.3nC
Tj max：
175.0°C
Moisture Sensitivity Level ：
1
Polarity ：
N
VGS max：
20.0V

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