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AUIRGDC0250

Low VCE (on) Planar IGBT Technology

文件:443.1 Kbytes 页数:10 Pages

INFINEON

英飞凌

AUIRGDC0250

Low Switching Losses

文件:305.66 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

AUIRGDC0250

1200V Automotive Low VCEon Discrete IGBT in a Super TO-220 package

\n优势:\n• Low Vce(on)\n• Optimized for <1KHz switching applications\n• 150°C operating temperature\n• AEC-Q101 qualified\n• Lead-free, RoHS compliant;

Infineon

英飞凌

AUIRGDC0250

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 141A 543W TO-220

INFINEON

英飞凌

AUIRGDC0250AKMA1

Package:TO-273AA;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 141A 543W TO-220

INFINEON

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    AUIRGDC0250

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.57V @ 15V,33A

  • 开关能量:

    15mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    -/485ns

  • 测试条件:

    600V,33A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    SUPER-220™(TO-273AA)

  • 描述:

    IGBT 1200V 141A 543W TO-220

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon(英飞凌)
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TO-220
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更多AUIRGDC0250供应商 更新时间2026-2-2 22:59:00