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AUIRFR4105TR	文件：244.23 Kbytes Page：12 Pages	Advanced Planar Technology Low On-Resistance 文件：244.23 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
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AUIRFR4105Z	文件：323.57 Kbytes Page：14 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and impro 文件：323.57 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF
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AUIRFR4105Z	文件：726.28 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVE GRADE Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and impro 文件：726.28 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

详细参数

型号：
AUIRFR4105TR
功能描述：
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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