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AUIRF7319Q	文件：371.21 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE GRADE Description Specifically designed for Automotive applications, these HEXFET® Power MOSFETs in a Dual SO-8 package utilize the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of these Automotive qualified HEXFET Power MOSFETs are a 150°C j 文件：371.21 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
AUIRF7319Q	文件：261.91 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, these HEXFET® Power MOSFETs in a Dual SO-8 package utilize the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of these Automotive qualified HEXFET Power MOSFETs are a 150°C j 文件：261.91 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
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AUIRF7319Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车 Q101 30V 双 N 通道和 P 通道 HEXFET Power MOSFET，采用 SO-8 封装 \n优势:\n• 先进平面工艺\n• 动态的dv/dt额定值\n• 175°C 的工作温度\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅，符合 RoHS\n• 通过汽车认证;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Polarity ：
N+P
Qgd(typ) ：
6.4nC
VGS max：
20.0V
RthJA max：
62.5K/W
Tj max：
150.0°C
Budgetary Price €/1k ：
0.6

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更多AUIRF7319Q供应商更新时间2026-2-1 14:16:00

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