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AUIRF1404S	文件：233.99 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET p 文件：233.99 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
AUIRF1404S	文件：309.58 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE GRADE Description Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET p 文件：309.58 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
AUIRF1404S	文件：233.99 Kbytes Page：13 Pages	Dynamic dV/dT Rating 文件：233.99 Kbytes 页数：13 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AUIRF1404STRL	文件：309.58 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE GRADE Description Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET p 文件：309.58 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
AUIRF1404STRL	文件：233.99 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET p 文件：233.99 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
AUIRF1404STRR	文件：233.99 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET p 文件：233.99 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
AUIRF1404S	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车Q101 40V单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 \n优势:\n• 先进平面工艺\n• 动态的dv/dt额定值\n• 175°C 的工作温度\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅，符合 RoHS\n• 通过汽车认证\n ;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
AUIRF1404S/AUIRF1404STRL
Qualification：
Automotive
Package name：
D2PAK/D2PAK
VDS max：
40 V
RDS (on) @10V max：
4 mΩ
ID @25°C max：
75 A
QG typ @10V：
131 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
Technology：
Gen 7

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更多AUIRF1404S供应商更新时间2026-1-31 13:00:00

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