SGT MOSFET

SGT MOSFET , 安海半导体为客户提供了丰富的低压MOSFET产品，采用先进的 SGT MOS技术，极低的 FOM[RDS(on)xQg] 实现了低的导通和开关损耗，便于客户提高产品效率，做到更高的功率密度。优秀的EAS和SOA参数便于客户产 品适应不同的负载应用。-40°C-150°C的工作结温，便于客户产品在不同工作环境温度的应用。

ANHI

安海半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60V, 265A, 2.5m廓

文件：540.24 Kbytes 页数：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 265A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.5mΩ(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·Designed for use in switch m

文件：299.05 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60V, 265A, 2.5m廓

文件：600.22 Kbytes 页数：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体