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ATS137-WL-B-A	文件：189.26 Kbytes Page：10 Pages	SINGLEHALLEFFECTSWITCH GeneralDescription ATS137isaswitchedHall-EffectIC,whichisforcontactlessswitchingapplications.Thedeviceincludesanon-chipHallvoltagegeneratorformagneticsensing,anamplifierthatamplifiestheHallvoltage,aSchmitttriggertoprovideswitchinghysteresisfornoiserejection	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
ATS137-WL-B-B	文件：189.26 Kbytes Page：10 Pages	SINGLEHALLEFFECTSWITCH GeneralDescription ATS137isaswitchedHall-EffectIC,whichisforcontactlessswitchingapplications.Thedeviceincludesanon-chipHallvoltagegeneratorformagneticsensing,anamplifierthatamplifiestheHallvoltage,aSchmitttriggertoprovideswitchinghysteresisfornoiserejection	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BD137	文件：357.96 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistorsNPNSilicon45,60,80Volts Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •DCCurrentGain-hFE=40(Min)@IC=150mAdc •ComplementarywithBD136,BD138,BD140	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BD137	文件：235.37 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBD135,BD137,andBD139areNPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorsdesignedforaudioamplifierandswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BD137	文件：131.19 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •Highcurrent •ComplementtotypeBD136/138/140 APPLICATIONS •Driverstagesinhigh-fidelityamplifiers andtelevisioncircuits	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD137	文件：110.21 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •Highcurrent •ComplementtotypeBD136/138/140 APPLICATIONS •Driverstagesinhigh-fidelityamplifiers andtelevisioncircuits	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD137	文件：1.68264 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighCurrent ComplementToBD136,BD138AndBD140	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BD137	文件：235.81 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ◾HighCurrent(1.5A) ◾LowVoltage(80V)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
BD137	文件：1.11352 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCurrent ●ComplementToBD136,BD138AndBD140	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BD137	文件：360.44 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrent TRANSISTOR(NPN) FEATURES •HighCurrent(1.5A) •LowVoltage(80V)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BD137	文件：111.81 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD137	文件：126.45 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1.25W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1.5A Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BD137	文件：369.65 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCurrent	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BD137	文件：181.14 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTRANSISTORS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD137	文件：1.10211 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCurrent ●ComplementToBD136,BD138AndBD140	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BD137	文件：252.12 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS DesignedforuseasAudioAmplifierandDriversUtilizing ComplementaryBD136,BD138,BD140	CDIL CDIL	CDIL
BD137	文件：115.53 Kbytes Page：3 Pages	NPNPOWERTRANSISTORS NPNPOWERTRANSISTORS FEATURES Highcurrent(max.1.5A) Lowvoltage(max.60V)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BD137	文件：73.91 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALPOWERTRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALPOWERTRANSISTORS. TheBD136-BD138-BD140arePNPTransistors Theyarerecommendedfordriverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisioncircuits. TheyaremountedinJedecTO-126plasticpackage. NPNcomplementsareBD135-BD137-BD139. CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD137	文件：42.47 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor Thisseriesofplastic,medium−powersiliconNPNtransistorsaredesignedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD137	文件：100.81 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor ...designedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. •DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=0.15Adc •BD135,137,139arecomplementarywithBD136,138,140	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola

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详细参数

型号：
ATS137-PA-A
制造商：
ANACHIP
制造商全称：
Anachip Corp
功能描述：
Single Hall Effect Switch

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ATS137-PA-A供应商更新时间2024-5-31 15:07:00

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