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B106S	文件：556.31 Kbytes Page：5 Pages	MINISURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER FEATURES •PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratoryrecognition94V-O •Lowleakage •Surgeoverloadrating--30amperespeak •Idealforprintedcircuitboard •LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective MECHANICALDATA •Case:Reliablelowcostconstructionut	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BB106A	文件：163.33 Kbytes Page：1 Pages	SilicljeveplanarnesignalnediodeSiliconplanarsignaldiodes	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BDB106	文件：41.16 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEGLASSPASSIVATEDSILICONBRIDGERECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BFR106	文件：63.23 Kbytes Page：8 Pages	NPN5GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorinaplasticSOT23envelope.Itisprimarilyintendedforlownoise,generalRFapplications.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFR106	文件：57.83 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiers •Forlinearbroadbandamplifiers •Specialapplication:antennaamplifiers •Complementarytype:BFR194(PNP)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFR106	文件：80.64 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •HighlinearitylownoiseRFtransistor •22dBmOP1dBand31dBmOIP3@900MHz,8V,70mA •ForUHF/VHFapplications •Driverformultistageamplifiers •Forlinearbroadbandandantennaamplifiers •Collectordesignsupports5Vsupplyvoltage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFR106	文件：523.74 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFR106	文件：622.35 Kbytes Page：8 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFR106	文件：73.76 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=2.5dBTYP.@VCE=8V,IC=20mA,f=900MHz •HighGain ︱S21e︱2=10.5dBTYP.@VCE=8V,IC=70mA,f=900MHz APPLICATIONS •Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersandlinearbroadbandamplifiers.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BFR106	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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