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CEZC4112A	文件：744.59 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 40V,40A,RDS(ON)=10.2mW@VGS=10V. RDS(ON)=16mW@VGS=4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
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