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FDS6612A	文件：164.38 Kbytes Page：7 Pages	SingleN-Channel,Logic-Level,PowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6612A	文件：246.99 Kbytes Page：8 Pages	SingleN-Channel,LogicLevel,PowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesarewellsuitedforlowvoltageand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6612A	文件：479.23 Kbytes Page：7 Pages	30VN-ChannelMOSFET Features Fastswitchingspeed Lowgatecharge Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) Highpowerandcurrenthandlingcapability (VGS=10V) VDS(V)=30V ID=8.4A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDS6612A-NL	文件：1.00896 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FDU6612A	文件：122.79 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF6612	文件：200.06 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheIRF6612combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutgeo	IRF International Rectifier	IRF
IRF6612PBF	文件：249.53 Kbytes Page：10 Pages	RoHsCompliant Description TheIRF6612PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
IRF6612PBF	文件：249.53 Kbytes Page：10 Pages	RoHsCompliant	IRF International Rectifier	IRF
IRF6612TRPBF	文件：249.53 Kbytes Page：10 Pages	RoHsCompliant Description TheIRF6612PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
ISL6612	文件：322.71 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithProtectionFeatures VR11.1,4-PhasePWMControllerwithLightLoadEfficiencyEnhancementandLoadCurrentMonitoringFeatures TheISL6334B,ISL6334Ccontrolmicroprocessorcorevoltageregulationbydrivingupto4interleavedsynchronous-rectifiedbuckchannelsinparallel.Thismultiphasearchitectureresul	Intersil Intersil Corporation	Intersil

详细参数

型号：
ATA6612C-PLQW
制造商：
Atmel Corporation
功能描述：
ATmega88&ATA662250 multi-chip-module

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