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AT28LV010-25	文件：498.06 Kbytes Page：9 Pages	1 Megabit 128K x 8 Low Voltage Paged CMOS E2PROM Description TheAT28LV010isahigh-performance3-voltonlyElectricallyErasableandProgrammableRead-OnlyMemory.Its1megabitofmemoryisorganizedas131,072wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto200nswithpowe	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28LV010-25JC	文件：498.06 Kbytes Page：9 Pages	1 Megabit 128K x 8 Low Voltage Paged CMOS E2PROM Description TheAT28LV010isahigh-performance3-voltonlyElectricallyErasableandProgrammableRead-OnlyMemory.Its1megabitofmemoryisorganizedas131,072wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto200nswithpowe	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28LV010-25JI	文件：498.06 Kbytes Page：9 Pages	1 Megabit 128K x 8 Low Voltage Paged CMOS E2PROM Description TheAT28LV010isahigh-performance3-voltonlyElectricallyErasableandProgrammableRead-OnlyMemory.Its1megabitofmemoryisorganizedas131,072wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto200nswithpowe	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28LV010-25PC	文件：498.06 Kbytes Page：9 Pages	1 Megabit 128K x 8 Low Voltage Paged CMOS E2PROM Description TheAT28LV010isahigh-performance3-voltonlyElectricallyErasableandProgrammableRead-OnlyMemory.Its1megabitofmemoryisorganizedas131,072wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto200nswithpowe	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28LV010-25PI	文件：498.06 Kbytes Page：9 Pages	1 Megabit 128K x 8 Low Voltage Paged CMOS E2PROM Description TheAT28LV010isahigh-performance3-voltonlyElectricallyErasableandProgrammableRead-OnlyMemory.Its1megabitofmemoryisorganizedas131,072wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto200nswithpowe	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28LV010-25TC	文件：498.06 Kbytes Page：9 Pages	1 Megabit 128K x 8 Low Voltage Paged CMOS E2PROM Description TheAT28LV010isahigh-performance3-voltonlyElectricallyErasableandProgrammableRead-OnlyMemory.Its1megabitofmemoryisorganizedas131,072wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto200nswithpowe	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28LV010-25TI	文件：498.06 Kbytes Page：9 Pages	1 Megabit 128K x 8 Low Voltage Paged CMOS E2PROM Description TheAT28LV010isahigh-performance3-voltonlyElectricallyErasableandProgrammableRead-OnlyMemory.Its1megabitofmemoryisorganizedas131,072wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto200nswithpowe	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28LV010-25JI	文件：355.32 Kbytes Page：15 Pages	1-Megabit (128K x 8) Low Voltage Paged Parallel EEPROMs	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28LV010-25PI	文件：355.32 Kbytes Page：15 Pages	1-Megabit (128K x 8) Low Voltage Paged Parallel EEPROMs	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28LV010-25TI	文件：355.32 Kbytes Page：15 Pages	1-Megabit (128K x 8) Low Voltage Paged Parallel EEPROMs	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28LV010-25SC	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：32-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC EEPROM 1MBIT PARALLEL 32SOIC	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
AT28LV010-25SI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：32-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC EEPROM 1MBIT PARALLEL 32SOIC	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
AT28LV010-25TC	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC EEPROM 1MBIT PARALLEL 32TSOP	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip

详细参数

型号：
AT28LV010-25
功能描述：
电可擦除可编程只读存储器 1M 3V SDP- 250NS COM TEMP
RoHS：
否
制造商：
Atmel
存储容量：
2 Kbit
组织：
256 B x 8
数据保留：
100 yr
最大时钟频率：
1000 KHz
最大工作电流：
6 uA
工作电源电压：
1.7 V to 5.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-8

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