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AT-41533-TR1G

RF TRANS NPN 12V SOT23;

BroadcomBroadcom Corporation.

博通公司博通半导体

AT-41533-TR1

GeneralPurpose,LowNoiseNPNSiliconBipolarTransistor

Description Hewlett-Packard’sAT-41511andAT-41533aregeneralpurposeNPNbipolartransistorsthatofferexcellenthighfrequencyperformanceataneconomicalprice.TheAT-41533usesthe3␣leadSOT-23,whiletheAT-41511placesthesamedieinthelowerparasitic4leadSOT-143.Bothpackag

HPAgilent(Hewlett-Packard)

安捷伦科技安捷伦科技有限公司

技术参数

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz

  • 增益:

    9dB ~ 14.5dB

  • 功率 - 最大值:

    225mW

  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):

    30 @ 5mA,5V

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值):

    50mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23

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更多AT-41533-TR1G供应商 更新时间2025-7-29 16:33:00