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AT-41533-TR1	文件：103.88 Kbytes Page：10 Pages	General Purpose, Low Noise NPN Silicon Bipolar Transistor Description Hewlett-Packard’sAT-41511andAT-41533aregeneralpurposeNPNbipolartransistorsthatofferexcellenthighfrequencyperformanceataneconomicalprice.TheAT-41533usesthe3␣leadSOT-23,whiletheAT-41511placesthesamedieinthelowerparasitic4leadSOT-143.Bothpackag	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
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AT-41533-TR1

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General Purpose, Low Noise NPN Silicon Bipolar Transistor

Description Hewlett-Packard’sAT-41511andAT-41533aregeneralpurposeNPNbipolartransistorsthatofferexcellenthighfrequencyperformanceataneconomicalprice.TheAT-41533usesthe3␣leadSOT-23,whiletheAT-41511placesthesamedieinthelowerparasitic4leadSOT-143.Bothpackag

HPAgilent(Hewlett-Packard)

安捷伦科技安捷伦科技有限公司

AT-41533-TR1

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RF TRANS NPN 12V SOT23;

BroadcomBroadcom Corporation.

博通公司博通半导体

Broadcom

AT-41533-TR1G

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RF TRANS NPN 12V SOT23;

BroadcomBroadcom Corporation.

博通公司博通半导体

Broadcom

技术参数

电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
增益：
9dB ~ 14.5dB
功率 - 最大值：
225mW
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：
30 @ 5mA，5V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
50mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AT-41533-TR1供应商更新时间2025-7-29 16:12:00

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