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BB809	文件：281.423 Kbytes Page：2 Pages	30VDetectionswitchtube	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
BD809	文件：49.56 Kbytes Page：8 Pages	POWERTRANSISTORSPNPSILICON PlasticHighPowerSiliconTransistor Thesedevicesaredesignedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features •DCCurrentGain-hFE=30(Min)@IC=2.0Adc •Pb-FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD809	文件：91.52 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ··WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD810 ·DCcurrentgain :hFE=30(Min)@IC=2.0Adc APPLICATIONS ·Designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD809	文件：86.03 Kbytes Page：5 Pages	PlasticHighPowerSiliconTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD809	文件：132.22 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD810 ·DCcurrentgain :hFE=30(Min)@IC=2.0Adc APPLICATIONS ·Designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD809	文件：95 Kbytes Page：4 Pages	PlasticHighPowerSiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD809	文件：127.85 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •DCCurrentGain- :hFE=30@lc=2A •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(sus)=80V(Min) •ComplementtoTypeBD810 APPLICATIONS •Designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizing complementaryorquasicomplementarycircuits.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD809G	文件：86.03 Kbytes Page：5 Pages	PlasticHighPowerSiliconTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BS809	文件：50.09 Kbytes Page：2 Pages	DMOSTransistors(N-Channel) FEATURES ♦Highinputimpedance ♦Lowgatethresholdvoltage ♦Lowdrain-sourceONresistance ♦High-speedswitching ♦Nominoritycarrierstoragetime ♦CMOSlogiccompatibleinput ♦Nothermalrunaway ♦Nosecondarybreakdown	GE GE Industrial Company	GE
CAT809	文件：62.2 Kbytes Page：13 Pages	3-PinMicroprocessorPowerSupplySupervisors DESCRIPTION TheCAT803,CAT809,andCAT810aresupervisorycircuitsthatmonitorpowersuppliesindigitalsystems.TheCAT803,CAT809,andCAT810aredirectreplacementsfortheMAX803,MAX809andMAX810inapplicationsoperatingovertheindustrialtemperaturerange. FEATURES ■Precisionmoni	Catalyst Catalyst Semiconductor	Catalyst

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产品属性

产品编号：
ASM809LEURF-T
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 监控器
包装：
卷带（TR）
类型：
简单复位/加电复位
电压 - 阈值：
4.63V
复位：
低有效
复位超时：
最小为 140ms
工作温度：
-40°C ~ 105°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
IC SUPERVISOR 1 CHANNEL SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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