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ASITPV591	文件：23.94 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASITPV591isaCommonEmitterDeviceDesignedforHighLinearityClassATelevisionBandIVandVTransmitters. FEATURESINCLUDE: •GoldMetalization •EmitterBallasting	ASI Advanced Semiconductor	ASI
BA591	文件：52.9 Kbytes Page：8 Pages	Band-switchingdiode DESCRIPTION TheBA591isaplanar,highperformanceband-switchingdiodeintheverysmallSOD323SMDplasticpackage. FEATURES •VerysmallplasticSMDpackage •Lowdiodecapacitance:max.1.05pF •Lowdiodeforwardresistance:max.0.7Ω •Smallinductance. APPLICATIONS •Lowlossband	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BA591	文件：34.65 Kbytes Page：1 Pages	Band-switchingdiode Features ●VerysmallplasticSMDpackage ●Lowdiodecapacitance:max.1.05pF ●Lowdiodeforwardresistance:max.0.7Ω ●Smallinductance.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BA591WS	文件：208.58 Kbytes Page：3 Pages	BANDSWITCHINGDIODE Features •VerysmallplasticSMDpackage •Lowdiodecapacitance •Lowdiodeforwardresistance •Smallinductance	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BF591	文件：49 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistors DESCRIPTION NPNhigh-voltagetransistorinaTO-202;SOT128Bplasticpackage. FEATURES •Lowcurrent(max.150mA) •Highvoltage(max.210V). APPLICATIONS •Telephonesystems.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG591	文件：106.7 Kbytes Page：12 Pages	NPN7GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorinaplastic,4-pinSOT223package. FEATURES •Highpowergain •Lownoisefigure •Hightransitionfrequency •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS IntendedforapplicationsintheGHzrange	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFQ591	文件：72.36 Kbytes Page：11 Pages	NPN7GHzwidebandtransistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFQ591	文件：148.5 Kbytes Page：4 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •HighPowerGain •HighCurrentGainBandwidthProduct •LowNoiseFigure APPLICATIONS •DesignedforuseinMATVorCATVamplifiersandRF communicationssubscribersequipment.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFQ591	文件：87.21 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •HighPowerGain •HighCurrentGainBandwidthProduct •LowNoiseFigure APPLICATIONS •DesignedforuseinMATVorCATVamplifiersandRF communicationssubscribersequipment.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BFQ591	文件：263.58 Kbytes Page：11 Pages	NPN7GHzwidebandtransistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
ASITPV591
制造商：
ASI
制造商全称：
ASI
功能描述：
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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