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ASIMRF427	文件：12.72 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF427isDesignedforhighvoltageapplicationsupto30MHz FEATURES: •PG=18dBmin.at25W/30MHz •IMD3=-34dBcmax.at25W(PEP) •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
AT427	文件：3.62022 Mbytes Page：33 Pages	AccessoriesHardware	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
AT427	文件：3.43102 Mbytes Page：34 Pages	AccessoriesHardware [NKKSwitches] HardwareThreading Manyhardwarepiecesareavailableinbothmetricandinchthreading,andinsuchcasesM(metric)andH(inch)arenotedinthedescriptions.ThecustomermustselectthreadingbyplacinganMorHafterthebasicATpartnumber.Ifthehardwareisavailable	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
ATTINY427	文件：4.23561 Mbytes Page：532 Pages	tinyAVR짰2Family	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
ATTINY427	文件：3.87381 Mbytes Page：522 Pages	tinyAVR®2Family TheATtiny1624/1626/1627microcontrollersofthetinyAVR®2familyareusingtheAVR®CPUwithhardwaremultiplier,runningatupto20MHz,with16KBFlash,2KBofSRAM,and256BofEEPROMavailableina14-,20-,and24-pinpackage.ThefamilyusesthelatesttechnologiesfromMicrochipwitha	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
B427	文件：731.43 Kbytes Page：2 Pages	Sub-MiniatureHighVoltageRectifiers	EDAL Edal Industries, Inc.	EDAL
BGA427	文件：165.17 Kbytes Page：7 Pages	Si-MMIC-AmplifierinSIEGET25-Technologie	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BGA427	文件：58.53 Kbytes Page：5 Pages	Si-MMIC-AmplifierinSIEGET25-Technologie Si-MMIC-AmplifierinSIEGET®25-Technologie •Cascadable50Ω-gainblock •Unconditionallystable •Gain\|S21\|2=18.5dBat1.8GHz(Appl.1)gain\|S21\|2=22dBat1.8GHz(Appl.2)IP3out=+7dBmat1.8GHz(VD=3V,ID=9.4mA) •NoisefigureNF=2.2dBat1.8GHz •TypicaldevicevoltageVD	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BGA427	文件：35.35 Kbytes Page：5 Pages	Si-MMIC-AmplifierinSIEGET25-Technologie(Cascadable50W-gainblockUnconditionallystable) Preliminarydata •Cascadable50Ω-gainblock •Unconditionallystable •Gain\|S21\|2=18,5dBat1.8GHz(appl.1)gain\|S21\|2=22dBat1.8GHz(appl.2)IP3out=+7dBmat1.8GHz(VD=3V,ID=9.4mA) •NoisefigureNF=2.2dBat1.8GHz •typicaldevicevoltageVD=2Vto5V •Reverseiso	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BGA427	文件：548.05 Kbytes Page：7 Pages	Si-MMIC-AmplifierinSIEGET25-Technologie	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
ASIMRF427
制造商：
ASI
制造商全称：
ASI
功能描述：
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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