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ASI2010

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The ASI 2010 is Designed for General Purpose Class C Power Amplifier Applications up to 2300 MHz. FEATURES: • PG = 5 dB min. at 10 W/ 2,000 MHz • Hermetic Microstrip Package • Omnigold™ Metalization System

文件:18.28 Kbytes 页数:1 Pages

ASI

ASI2010

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

ASI Semiconductor

ASI Semiconductor

ASPI-2010

Wire Wound Magnetically Shielded SMD Power Inductor

文件:1.6025 Mbytes 页数:4 Pages

ABRACON

ASPI-2010HC

Wire Wound Magnetically Shielded SMD Power Inductor

文件:1.40664 Mbytes 页数:3 Pages

ABRACON

ATR2010

THICK FILM CHIP RESISTORS

文件:538.15 Kbytes 页数:3 Pages

ABCO

详细参数

  • 型号:

    ASI2010

  • 制造商:

    ASI

  • 制造商全称:

    ASI

  • 功能描述:

    NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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更多ASI2010供应商 更新时间2025-12-24 11:06:00