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ASDM60N50KQ

N-MOS Trench

ASDsemi

安森德

IRFPS60N50C

HEXFET Power MOSFET

文件:58.1 Kbytes 页数:3 Pages

IRF

IXFQ60N50

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 110mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:311.9 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXGH60N50

HIGH CURRENT MOSIGBT

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文件:68.56 Kbytes 页数:1 Pages

IXYS

艾赛斯

技术参数

  • VDS(V):

    60

  • VGS (V):

    ±20

  • Vth (V):

    1-2.5

  • RDS(ON) (mΩ) Typ. at VGS=10V:

    13.5

  • RDS(ON) (mΩ) Typ. at VGS=4.5V:

    18

  • ID (A) Tc=25℃:

    50

  • EAS (mJ):

    31

  • Ciss (pF):

    880

  • Qg (nC):

    18

  • Package:

    TO-252

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ASCEND/安森德
25+
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10000
原厂一级代理
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ASCEND
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TO-252
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一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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NK/南科功率
2025+
DFN5*6-8
986966
国产
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ASCEND
10
询价
ASCEND
24+
con
10000
查现货到京北通宇商城
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ASCENDSEMI
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SOT23
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原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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ASDsemi
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TOLL
20000
全新原装
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更多ASDM60N50KQ供应商 更新时间2025-12-11 10:01:00