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IRF7341	文件：340.07 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Description TheSOP-8hasbeenmodifiedthroughacustomized leadframeforenhancedthermalcharacteristicsand multiple-diecapabilitymakingitidealinavarietyof powerapplications.Withtheseimprovements,multiple devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically reducedboard	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF7341GPBF	文件：205.3 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description TheseHEXFET®PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFET’sarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepe	IRF International Rectifier	IRF
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IRF7341PBF	文件：163.97 Kbytes Page：7 Pages	GenerationVTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF7341PBF	文件：158.59 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve extremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedand ruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF7341Q	文件：156.51 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,theseHEXFET®PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseAutomotivequalifiedHEXFETPowerMOSFET’sarea17	IRF International Rectifier	IRF
IRF7341QPBF	文件：231.77 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description TheseHEXFET®PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFET’sarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepe	IRF International Rectifier	IRF
IRF7341QPBF	文件：218.6 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheseHEXFET®PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFET’sarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepe	IRF International Rectifier	IRF
IRF7341QTRPBF	文件：218.6 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheseHEXFET®PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFET’sarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepe	IRF International Rectifier	IRF

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