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BFP196	文件：79.39 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor* •Forlownoise,lowdistortionbroadband amplifiersinantennaandtelecommunications systemsupto1.5GHzatcollectorcurrentsfrom 20mAto80mA •PoweramplifierforDECTandPCNsystems •fT=7.5GHz,F=1.3dBat900MHz •Pb-free(RoHScomp	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP196	文件：60.94 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,lowdistortionbroadbandamplifiersinantennaandtelecommunications) •Forlownoise,lowdistortionbroadbandamplifiersinantennaandtelecommunicationssystemsupto1.5GHzatcollectorcurrentsfrom20mAto80mA •PoweramplifierforDECTandPCNsystems •fT=7.5GHz F=1.5dBat900MHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFP196	文件：79.52 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP196	文件：557.21 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BFP196W	文件：79.27 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor* •Forlownoise,lowdistortionbroadband amplifiersinantennaandtelecommunications systemsupto1.5GHzatcollectorcurrentsfrom 20mAto80mA •PoweramplifierforDECTandPCNsystems •fT=7.5GHz,F=1.3dBat900MHz •Pb-free(RoHScomp	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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BFP196W	文件：83.26 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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BFP196W	文件：281.25 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP. @VCE=6V,IC=5mA,f=1GHz •HighGain ︱S21︱2=18dBTYP. @VCE=6V,IC=30mA,f=1GHz •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobust deviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforuseinlownoise	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
AS196-C
制造商：
EDSYN
功能描述：
SILVERSTAT SOLDAPULLT with LS197 Tip and ODS31 O-Ring
L：
13.0 in.(330.0 mm) Car

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