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BAV101	文件：54.95 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiodes Features •SiliconEpitaxialPlanarDiodes •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications •Generalpurposes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAV101	文件：58.07 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSWITCHINGDIODE Features ●Case:MiniMELF,Glass ●Terminals:SolderableperMIL-STD-202,Method208 ●Polarity:CathodeBand ●Marking:CathodeBandOnly ●Weight:0.05grams(approx.) MechanicalData ●FastSwitchingSpeed ●SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion ●ForGeneralPur	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAV101	文件：133.07 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastSwitchingSurfaceMountSi-Rectifiers SuperfastRecoverySMDRectifierDiodes Features PackagecompatibletoSOD-87 Highpowerdissipation ComplianttoRoHS,REACH, ConflictMinerals1) TypicalApplications Rectificationofhigherfrequencies, Highspeedswitching Commercialgrade1) MechanicalData1)	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BAV101	文件：81.75 Kbytes Page：2 Pages	Ultrafastsiliconrectifierdiodes ForwardCurrent:0,2A ReverseVoltage:50to300V Features ●Max.soldertemperature:260°C ●PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ●Onegreenringdenotescathodeandultrafastswitchingdevice ●Thetypenumbersarenotedonlyonthelableonthereel	SemikronSemikron International 赛米控丹佛斯	Semikron
BAV101	文件：46.17 Kbytes Page：2 Pages	HIGHVOLTAGESURFACEMOUNTSWITCHINGDIODES VOLTAGE120to250VoltsPOWER300mWatts FEATURES •FastswitchingSpeed. •SurfaceMountPackageIdeallySuitedForAutomaticInsertion. •SiliconEpitaxalPlanarConstruction. •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAV101	文件：103.87 Kbytes Page：2 Pages	SuperfastSwitchingSurfaceMountSi-Diodes	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BAV101	文件：171.04 Kbytes Page：2 Pages	Ultrafastsiliconrectifierdiodes	SemikronSemikron International 赛米控丹佛斯	Semikron
BAV101	文件：94.03 Kbytes Page：2 Pages	500mWHermeticallySealedGlassHighVoltageSwitchingDiodes Features ●HighVoltageSwitchingDevice ●MiniMelfpackage ●Surfacedevicetypemounting ●Hermeticallysealedglass ●Compressionbondedconstruction ●Allexternalsurfacearecorrosionresistantandleadsarereadilysolderable ●RoHScompliant ●MatteTin(Sn	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BAV101	文件：150.47 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSWITCHINGDIODE VOLTAGERANGE:50-200V CURRENT:250mA FEATURES ◇Siliconepitaxialplanardiode ◇Highspeedswitchingdiode ◇500mWpowerdissipation MECHANICALDATA ◇Case:MINI-MELF,glasscase ◇Polarity:Colorbanddenotescathode ◇Weight:Approx0.031grams	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BAV101	文件：136.48 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSwitchingDiodes,HighVoltage Features •SiliconEpitaxialPlanarDiodes •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications •Generalpurposes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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