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DA9132-A	文件：1.01541 Mbytes Page：58 Pages	High-Performance,Dual-ChannelDC-DCConverterforAutomotiveApplications KeyFeatures ■2.8Vto5.5Vinputvoltage ■0.3Vto1.9Voutputvoltage ■Upto3Aoutputcurrentperchannel ■4MHznominalswitchingfrequency ■Dual-channel ■220nHinductorperchannel ■20μFoutputcapacitor ■±1outputvoltageaccuracy(static) ■±5loadtransient(dynamic	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
E9132	文件：1.11441 Mbytes Page：8 Pages	Eaton’sMouldedAccessoryRange(EMA)	EATONEaton All Rights Reserved. 伊顿伊顿公司	EATON
EP9132	文件：30.36 Kbytes Page：1 Pages	SMD28PinPassiveDelayLines SMD28PinPassiveDelayLines	PCA PCA ELECTRONICS INC.	PCA
FP9132	文件：79.77 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
IRF9132	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF9132	文件：290.17 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9132	文件：270.42 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFF9132	文件：687.87 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-RatedP-ChannelPowerMOSFETs -5.5Aand-6.5A,-60Vand-100VrDS(on)=0.30Ωand0.40Ω TheIRFF9130,IRFF9131,IRFF9132andIRFF9133areadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.Thesearep-channelenhancement-modesilicon-gat	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFP9132	文件：378.27 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRFP9132	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

详细参数

型号：
APX9132AAI-TRG
制造商：
ANPEC
制造商全称：
Anpec Electronics Coropration
功能描述：
Hall Effect Micro Switch IC

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