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FP9132	文件：79.77 Kbytes Page：1 Pages	RF AMPLIFIER MODEL 文件：79.77 Kbytes 页数：1 Pages	APITECH	APITECH
IRF9132	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES • Low RDS(on) • Improved inductive ruggedness • Fsat switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Low input capacitance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliability 文件：508.31 Kbytes 页数：12 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
IRF9132	文件：290.17 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：290.17 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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更多EP9132供应商更新时间2026-4-17 16:38:00