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APTGT75TL60T3G数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

APTGT75TL60T3G

参数属性

APTGT75TL60T3G 封装/外壳为SP3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE 600V 100A 250W SP3

功能描述

600V/Three level inverter/IGBT modules
IGBT MODULE 600V 100A 250W SP3

封装外壳

SP3

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 9:31:00

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APTGT75TL60T3G规格书详情

特性 Features

• Configuration: Three level inverter
• VCES (V): 600
• VCESat (V): 1.5
• Current (A) Tc=80C: 75
• Silicon type: TRENCH 3 IGBT
• Package: SP3F

简介

APTGT75TL60T3G属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的APTGT75TL60T3G晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :APTGT75TL60T3G

  • 生产厂家

    :Microchip

  • Product Type

    :IGBT

  • VCES (V)

    :600

  • VCEsat (V)

    :1.5

  • Current (A) Tc=80 C

    :75

  • Silicon Type

    :TRENCH 3 IGBT

  • PKG

    :SP3F

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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