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APTGT75H60T3G数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

厂商型号 |
APTGT75H60T3G |
参数属性 | APTGT75H60T3G 封装/外壳为SP3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE 600V 100A 250W SP3 |
功能描述 | 600V/Full bridge/IGBT modules |
封装外壳 | SP3 |
制造商 | Microchip Microchip Technology |
中文名称 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-9 10:50:00 |
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APTGT75H60T3G规格书详情
特性 Features
• Configuration: Full bridge
• VCES (V): 600
• VCESat (V): 1.5
• Current (A) Tc=80C: 75
• Silicon type: TRENCH 3 IGBT
• Package: SP3F
简介
APTGT75H60T3G属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的APTGT75H60T3G晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 制造商编号
:APTGT75H60T3G
- 生产厂家
:Microchip
- Product Type
:IGBT
- VCES (V)
:600
- VCEsat (V)
:1.5
- Current (A) Tc=80 C
:75
- Silicon Type
:TRENCH 3 IGBT
- PKG
:SP3F
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
25+ |
75A/1200V/IG |
50 |
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询价 | ||
APT |
75A/1200V/IG |
150 |
模块现货库存 |
询价 | |||
Microsemi Corporation |
22+ |
SP3 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
24+ |
DIP |
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Microsemi |
1942+ |
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MICROSEMI |
10+ |
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MICROCHIP |
23+ |
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询价 | |||
Microch |
20+ |
NA |
33560 |
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APT |
24+ |
75A/1200V/IGBT+DIODE/2U |
6540 |
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询价 |