APTGT200DU120G中文资料1200V/Dual common source/IGBT modules数据手册Microchip规格书

特性 Features

• Configuration: Dual common source
• VCES (V): 1200
• VCESat (V): 1.7
• Current (A) Tc=80C: 200
• Silicon type: TRENCH 3 IGBT
• Package: SP6C

简介

APTGT200DU120G属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的APTGT200DU120G晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。