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APTGT200DH120数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

APTGT200DH120

参数属性

APTGT200DH120 封装/外壳为SP6;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6

功能描述

Asymmetrical - Bridge Fast Trench Field Stop IGBT Power Module

封装外壳

SP6

制造商

APT APT Electronics Co.,Ltd.

中文名称

晶科 广东晶科电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 13:52:00

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技术参数

  • 产品编号:

    APTGT200DH120G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    托盘

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 配置:

    非对称桥

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,200A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    SP6

  • 供应商器件封装:

    SP6

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Microsemi Corporation
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