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APT8030LVRG	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Microchip 微芯科技	Microchip
MAZ8030	文件：69.48 Kbytes Page：5 Pages	Silicon planar type Silicon planar type For stabilization of power supply ■Features •Extremely low noise voltage caused from the diode (2.4V to 39V, 1/3 to 1/10 of our conventional MAZ3000 series) •Extremely good rising performance (in the low-current range) •Easy-to-select the optimum diode because 文件：69.48 Kbytes 页数：5 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
MAZ8030-L	文件：69.48 Kbytes Page：5 Pages	Silicon planar type Silicon planar type For stabilization of power supply ■Features •Extremely low noise voltage caused from the diode (2.4V to 39V, 1/3 to 1/10 of our conventional MAZ3000 series) •Extremely good rising performance (in the low-current range) •Easy-to-select the optimum diode because 文件：69.48 Kbytes 页数：5 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
MOC8030	文件：274.19 Kbytes Page：6 Pages	6-Pin DIP Optoisolators Darlington Ouput(No Base Connection) The MOC8030 and MOC8050 devices consist of gallium arsenide infrared emitting diodes optically coupled to monolithic silicon photodarlington detectors. The chip to Pin 6 base connection has been eliminated to improve output performance in high noise environments. They are best suited for use in a 文件：274.19 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA

详细参数

型号：
APT8030LVRG
功能描述：
MOSFET N-CH 800V 27A TO-264
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
POWER MOS V®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多APT8030LVRG供应商更新时间2026-4-18 14:08:00

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