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APT8075HN

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 11.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.75Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, D

文件:298.07 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

BL8075

16V 500mA Low Consumption Linear Regulator

文件:856.96 Kbytes 页数:6 Pages

Belling

上海贝岭

DC-8075

MISSION CRITICAL CABINET

文件:101.06 Kbytes 页数:1 Pages

BUD

ECG-8075

Electrically Conductive Cushioning Gasket Tape

文件:281.44 Kbytes 页数:6 Pages

3M

技术参数

  • 功能描述:

    TRANSISTOR

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更多APT8075HN供应商 更新时间2025-10-8 16:30:00