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APT8024B2VR	文件：39.16 Kbytes Page：2 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. POWERMOSV® PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •Iden	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
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APT8024B2FLL	文件：372.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=31A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.24Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT8024B2FLL	文件：245.05 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS. PowerMOS7®isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7®bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7®combineslowerconductionandswitchinglossesalongwithexceptionally	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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详细参数

型号：
APT8024B2VR
制造商：
ADPOW
制造商全称：
Advanced Power Technology
功能描述：
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

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