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APT8018	文件：78.22 Kbytes Page：2 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. POWER MOS V® Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. • TO-2 文件：78.22 Kbytes 页数：2 Pages	ADPOW	ADPOW
APT8018	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.	APT 晶科电子	APT
APT8018JN	文件：78.22 Kbytes Page：2 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. POWER MOS V® Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. • TO-2 文件：78.22 Kbytes 页数：2 Pages	ADPOW	ADPOW
APT8018JN	文件：60.07 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS POWER MOS IV® SINGLE DIE ISOTOP® PACKAGE N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS 文件：60.07 Kbytes 页数：4 Pages	ADPOW	ADPOW
APT8018L2VFR	文件：136.87 Kbytes Page：4 Pages	POWER MOS V FREDFET POWER MOS V® FREDFET Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. 文件：136.87 Kbytes 页数：4 Pages	ADPOW	ADPOW
APT8018L2VR	文件：78.22 Kbytes Page：2 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. POWER MOS V® Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. • TO-2 文件：78.22 Kbytes 页数：2 Pages	ADPOW	ADPOW
APT8018L2VR	文件：158.42 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. 文件：158.42 Kbytes 页数：4 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
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APT8018L2VR	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.	Microchip 微芯科技	Microchip

详细参数

型号：
APT8018
制造商：
ADPOW
制造商全称：
Advanced Power Technology
功能描述：
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

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