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APT50GT60BRDQ2G中文资料IGBT w/ anti-parallel diode数据手册Microchip规格书
| 厂商型号 |
APT50GT60BRDQ2G |
| 参数属性 | APT50GT60BRDQ2G 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 110A 446W TO247 |
| 功能描述 | IGBT w/ anti-parallel diode |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | Microchip Microchip Technology |
| 中文名称 | 微芯科技 美国微芯科技公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-21 20:00:00 |
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APT50GT60BRDQ2G规格书详情
简介
APT50GT60BRDQ2G属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的APT50GT60BRDQ2G晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
APT50GT60BRDQ2G
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
Thunderbolt IGBT®
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，50A
- 开关能量：
995µJ（开），1070µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
14ns/240ns
- 测试条件：
400V，50A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247 [B]
- 描述：
IGBT 600V 110A 446W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi/美高森美 |
25+ |
TO-247 |
498 |
原装正品,欢迎来电咨询! |
询价 | ||
MICROSEMI |
25+23+ |
TO-247 |
35162 |
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APT |
24+ |
TO-247-3 |
8866 |
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Microsemi |
24+ |
TO-247 |
11000 |
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询价 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
22+ |
TO-247 |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
APT |
23+ |
TO-247 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
Microsemi Corporation |
2022+ |
TO-247 [B] |
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MICROSEMI |
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原装正品 |
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ADPOW |
23+ |
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MICROSEMI/美高森美 |
2447 |
TO-247 |
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