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APT50GR120JD30中文资料NPT IGBT & Trench IGBT数据手册Microchip规格书

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厂商型号

APT50GR120JD30

参数属性

APT50GR120JD30 封装/外壳为SOT-227-4;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227

功能描述

NPT IGBT & Trench IGBT
IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227

封装外壳

SOT-227-4

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 美国微芯科技公司

数据手册

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更新时间

2025-9-21 16:50:00

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APT50GR120JD30规格书详情

描述 Description

ROHS

简介

APT50GR120JD30属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的APT50GR120JD30晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    APT50GR120JD30

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    散装

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 配置:

    单路

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.2V @ 15V,50A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    SOT-227-4

  • 供应商器件封装:

    SOT-227

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227

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