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APT5015	文件：60.29 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. POWER MOS V® Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. • 文件：60.29 Kbytes 页数：4 Pages	ADPOW	ADPOW
APT5015BLC	文件：29.39 Kbytes Page：2 Pages	Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs POWER MOS VI™ Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Lower gate charge is achieved by optimizing the manufacturing process to minimize Cissand Crss. Lower gate charge coupled with Power MOS VITM optimized gate layout, delivers 文件：29.39 Kbytes 页数：2 Pages	ADPOW	ADPOW
APT5015BVFR	文件：116.53 Kbytes Page：4 Pages	POWER MOS V FREDFET POWER MOS V® FREDFET Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate lay 文件：116.53 Kbytes 页数：4 Pages	ADPOW	ADPOW
APT5015BVR	文件：60.29 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. POWER MOS V® Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. • 文件：60.29 Kbytes 页数：4 Pages	ADPOW	ADPOW
APT5015SVFR	文件：116.53 Kbytes Page：4 Pages	POWER MOS V FREDFET POWER MOS V® FREDFET Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate lay 文件：116.53 Kbytes 页数：4 Pages	ADPOW	ADPOW
APT5015BVFR	文件：419.76 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：419.76 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
APT5015BVR	文件：419.75 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：419.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
APT5015BVFRG	文件：300 bytes Page：1 Pages	FREDFETs ROHS	Microchip 微芯科技	Microchip
APT5015BVFR	文件：300 bytes Page：1 Pages	POWER MOS V FREDFET	APT 晶科电子	APT
APT5015BVR	文件：300 bytes Page：1 Pages	POWER MOS V 500V 32A 0.150 Ohm	APT 晶科电子	APT

详细参数

型号：
APT5015
制造商：
ADPOW
制造商全称：
Advanced Power Technology
功能描述：
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多APT5015供应商更新时间2026-4-17 16:28:00

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