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APT5010B2VR	文件：336.97 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 47A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.1Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：336.97 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
APT5010B2FLL	文件：419.64 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：419.64 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
APT5010B2FLL	文件：174.11 Kbytes Page：5 Pages	POWER MOS 7 FREDFET 文件：174.11 Kbytes 页数：5 Pages	ADPOW	ADPOW
APT5010B2FLL_04	文件：174.11 Kbytes Page：5 Pages	POWER MOS 7 FREDFET 文件：174.11 Kbytes 页数：5 Pages	ADPOW	ADPOW
APT5010B2LC	文件：66.16 Kbytes Page：2 Pages	Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. 文件：66.16 Kbytes 页数：2 Pages	ADPOW	ADPOW
APT5010B2LL	文件：419.64 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：419.64 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
APT5010B2VR	文件：66.57 Kbytes Page：4 Pages	New T-MAX??Package (Clip-mounted TO-247 Package) 文件：66.57 Kbytes 页数：4 Pages	ADPOW	ADPOW
APT5010B2VRG	文件：66.57 Kbytes Page：4 Pages	New T-MAX??Package (Clip-mounted TO-247 Package) 文件：66.57 Kbytes 页数：4 Pages	ADPOW	ADPOW
APT5010B2FLLG	文件：300 bytes Page：1 Pages	FREDFETs	Microchip 微芯科技	Microchip
APT5010B2LC	文件：300 bytes Page：1 Pages	POWER MOS VI 500V 47A 0.100 Ohm	APT 晶科电子	APT

技术参数

package_carrier：
Tube
package_name：
T-MAX
Breakdown Voltage (min)：
0
Breakdown Voltage (typ)：
0
Breakdown Voltage (max)：
500
Drain Current (dc) (min)：
0
Drain Current (dc) (typ)：
0
Drain Current (dc) (max)：
47

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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