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APT5010JLL	文件：174.33 Kbytes Page：5 Pages	POWER MOS 7 MOSFET 文件：174.33 Kbytes 页数：5 Pages	ADPOW	ADPOW
APT5010JLL_04	文件：174.33 Kbytes Page：5 Pages	POWER MOS 7 MOSFET 文件：174.33 Kbytes 页数：5 Pages	ADPOW	ADPOW
APT5010LFLL	文件：299.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.33 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
APT5010LFLL	文件：174.11 Kbytes Page：5 Pages	POWER MOS 7 FREDFET 文件：174.11 Kbytes 页数：5 Pages	ADPOW	ADPOW
APT5010LLC	文件：66.16 Kbytes Page：2 Pages	Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. 文件：66.16 Kbytes 页数：2 Pages	ADPOW	ADPOW
APT5010LLL	文件：299.35 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.35 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
APT5010LVFR	文件：299.15 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
APT5010LVR	文件：299.14 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.14 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
APT5010LVR	文件：52.13 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement 文件：52.13 Kbytes 页数：4 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT5010LVRG	文件：52.13 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement 文件：52.13 Kbytes 页数：4 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

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技术参数

Status：
In Production
Product Type：
Si Mosfet
VDSS (V)：
500
Current (A) Tc=80 C：
30
RDSon (mR) typ：
100
Silicon Type：
MOSFET
PKG：
SOT-227

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更多APT5010供应商更新时间2018-6-15 17:40:00

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