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APT40N60B2CF	文件：337.7 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 40A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.11Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：337.7 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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更多APT40N60B2CF供应商更新时间2025-12-1 10:02:00