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APT35GN120L2DQ2G数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
APT35GN120L2DQ2G |
参数属性 | APT35GN120L2DQ2G 封装/外壳为TO-264-3,TO-264AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 94A 379W TO264 |
功能描述 | IGBT w/ anti-parallel diode |
封装外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
制造商 | Microchip Microchip Technology |
中文名称 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 20:00:00 |
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APT35GN120L2DQ2G规格书详情
简介
APT35GN120L2DQ2G属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的APT35GN120L2DQ2G晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
APT35GN120L2DQ2G
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
NPT,沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,35A
- 开关能量:
2.315mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
24ns/300ns
- 测试条件:
800V,35A,2.2 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-264-3,TO-264AA
- 描述:
IGBT 1200V 94A 379W TO264
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
25+ |
TO-264Max |
61 |
原装正品,欢迎来电咨询! |
询价 | ||
Microch |
20+ |
NA |
33560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
APT |
1822+ |
TO-3P |
9852 |
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询价 | ||
APT |
23+ |
TO247 |
65600 |
询价 | |||
APT |
22+ |
TO247 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
APT |
2025+ |
TO247 |
3635 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
询价 | ||||
APT |
25+ |
TO247 |
3000 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
询价 | ||
APT |
24+ |
8866 |
询价 | ||||
APT/MICROSEMI |
23+ |
TO-264MAX |
4000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 |