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APT33GF120B2RDQ2G数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
APT33GF120B2RDQ2G |
参数属性 | APT33GF120B2RDQ2G 封装/外壳为TO-247-3 变式;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 64A 357W TMAX |
功能描述 | IGBT w/ anti-parallel diode |
封装外壳 | TO-247-3 变式 |
制造商 | Microchip Microchip Technology |
中文名称 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
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APT33GF120B2RDQ2G规格书详情
简介
APT33GF120B2RDQ2G属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的APT33GF120B2RDQ2G晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
APT33GF120B2RDQ2G
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
3V @ 15V,25A
- 开关能量:
1.315mJ(开),1.515mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
14ns/185ns
- 测试条件:
800V,25A,4.3 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3 变式
- 描述:
IGBT 1200V 64A 357W TMAX
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
24+ |
NA/ |
3262 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
APT |
25+ |
T-MAX |
12 |
原装正品,欢迎来电咨询! |
询价 | ||
Microch |
20+ |
NA |
33560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
APT |
21+ |
TO-247 |
207 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
21+ |
T0-247 |
120000 |
长期代理优势供应 |
询价 | ||
APT |
22+ |
TO-247 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
询价 | ||||
APT |
24+ |
8866 |
询价 | ||||
APT |
22+ |
SOT-252 |
8200 |
原装现货库存.价格优势!! |
询价 | ||
MICROCHIP/微芯 |
21+ |
TO-247 |
2000 |
原装正品 |
询价 |