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APT35GN120L2DQ2G

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

文件:9.86083 Mbytes 页数:44 Pages

Microsemi

美高森美

APT35GN120L2DQ2G

Power Semiconductors Power Modules

文件:2.83336 Mbytes 页数:44 Pages

Microsemi

美高森美

APT35GN120L2DQ2G

IGBT

文件:219.25 Kbytes 页数:9 Pages

ADPOW

APT35GN120L2DQ2G

IGBT w/ anti-parallel diode

Microchip

微芯科技

APT35GN120L2DQ2G

Package:TO-264-3,TO-264AA;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 94A 379W TO264

Microchip

微芯科技

产品属性

  • 产品编号:

    APT35GN120L2DQ2G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT,沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,35A

  • 开关能量:

    2.315mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    24ns/300ns

  • 测试条件:

    800V,35A,2.2 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 描述:

    IGBT 1200V 94A 379W TO264

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更多APT35GN120L2DQ2G供应商 更新时间2025-12-9 15:01:00